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WZP2-430裝配式熱電阻上海自動化儀表三廠
通過地區指定(ding),我(wo)廠從1984年起展開工作貼(tie)合(he)國(guo)家IEC基(ji)準(zhun)度數(shu)號的Pt100鉑熱阻(zu)(zu)值功(gong)率(lv)(lv)(lv)功(gong)率(lv)(lv)(lv)合(he)貼(tie)合(he)國(guo)家專門基(ji)準(zhun)度數(shu)號的Cu50銅熱阻(zu)(zu)值功(gong)率(lv)(lv)(lv)功(gong)率(lv)(lv)(lv)幾大類別自動鋼結構住(zhu)宅、一致的規劃型阻(zu)(zu)值功(gong)率(lv)(lv)(lv)功(gong)率(lv)(lv)(lv),應貼(tie)合(he)國(guo)家JB/T8622-1997及JB/T8623-1997基(ji)準(zhun).
WZP2-430裝配式熱電阻上海自動化儀表三廠主要是技巧質量指(zhi)標:
溫(wen)度測量依據和更準度
熱電阻器行業類別 | 測量方法標準℃ | 度數號 | 合法差別△t ℃ |
WZP型鉑內阻 | -200~420 | Pt100 | B級 允差(cha)±(0.3或+0.005︱t︱) |
A級(ji) 允(yun)差±(0.15或+0.002︱t︱) | |||
WZC型銅電容 | -150~100 | Cu50 | -50~100℃ 允差±(0.30+6.0×10-3t) |
注:式中“t"為(wei)室內(nei)溫度探頭部(bu)件的測(ce)試數據(ju)室內(nei)溫度值。
尺寸標識:
W | Z | 規格參數 | 信息內容 | ||||
P | 鉑熱敏電阻 | ||||||
C | 銅熱敏電阻 | ||||||
熱阻值裝修材料 | - | 1 | 無確定設備式 | ||||
2 | 一定螺距式 | ||||||
3 | 活動形式式法蘭片 | ||||||
4 | 固定的蝶閥法蘭式 | ||||||
6 | 調(diao)整螺孔(kong)碗形愛(ai)護管式 | ||||||
安 裝 固 定 形 式 | 2 | 防濺式 | |||||
3 | 防潮、防水式 | ||||||
非統(tong)設(she):插座就多留幾個式,小接線方法盒(he)式等 | |||||||
接電源盒形態 | 0 | Φ16mm保養管(guan) | |||||
1 | Φ12mm保養管 | ||||||
非統(tong)設:各樣(yang)規格尺寸保障(zhang)管(guan) | |||||||
設 計 序 號 | |||||||
W | Z | □ | - | □ | □ | □ |
熱熱敏電阻溫感pcb板100℃時的電阻值(R100)和它在0℃時的電阻值R0的比值:(R100/ R0)
分度號Pt100: A 級 R0=100±0.06Ω
B級 R0=100±0.12Ω
量程號Cu50: R0=50±0.05Ω
熱回復時間段
在溫度出現階躍變化時,熱電阻的輸出變化至相當于該階躍變化的50%所需要的時間稱為熱響應時間用T0.5表示。
熱阻值公稱有壓力
一般的指在該的工(gong)作(zuo)溫度(du)下保護(hu)管(guan)(guan)不足(zu)以承擔的外壓(靜水壓)耐不分(fen)裂。同意公(gong)稱壓差不光與保護(hu)管(guan)(guan)件料、長度(du)、管(guan)(guan)厚有(you)觀,還和他成(cheng)分(fen)風格、裝(zhuang)設方式(shi)、安(an)放(fang)深入甚(shen)至被測材質的氣(qi)速(su)和類有(you)觀。
熱電阻值zui小置于(yu)深度(du).
︱min=︱元+15D
︱min-zui小能夠用插入層(ceng)次
︱元-感溫元件長度
D-呵護管外徑
那自然關系
在(zai)熱電(dian)阻(zu)器(qi)(qi)器(qi)(qi)中測(ce)量電(dian)流量5mA時,得(de)出的電(dian)阻(zu)器(qi)(qi)器(qi)(qi)增(zeng)加量換算成溫度(du)表值(zhi)應(ying)并不(bu)太于0.30℃。
接地電阻器
常(chang)溫(wen)狀態(tai)接地熱敏(min)(min)(min)熱敏(min)(min)(min)電(dian)阻(zu)的(de)實驗(yan)設計電(dian)壓降可(ke)以(yi)采取直流電(dian)壓10~100V指定值,環境工(gong)作溫(wen)度(du)在15~35℃空間內,相對性室內溫(wen)度(du)應不(bu)于80%。常(chang)溫(wen)狀態(tai)接地熱敏(min)(min)(min)熱敏(min)(min)(min)電(dian)阻(zu)值應不(bu)大于100MΩ
點
擊
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