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WZP-320裝配式熱電阻上海自動化儀表三廠

WZP-320裝配線式熱熱敏電阻重慶自動式化電子廠多功能儀表盤三廠用于量測高溫的傳控制器器器,一般說來和體現電子廠多功能儀表盤、數據電子廠多功能儀表盤和電子廠控制器器配套設施使用的。它能夠馬上量測各個的生產方式中從-200℃~420℃面積內的藥液、空氣壓縮主氣體導電介質和固狀的表皮高溫。
  • 成品主要參數:
  • 產商化學性質:生產廠家
  • 更新系統日期:2023-04-10
  • 訪  問  量:376
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產品詳情

WZP-320裝配式熱電阻上海自動化儀表三廠

會(hui)根據的國家設定(ding),我廠(chang)從(cong)1988年起開始(shi)產出達(da)到IEC要求(qiu)規(gui)定(ding)規(gui)定(ding)精(jing)度等(deng)級(ji)號的Pt100鉑熱(re)熱(re)敏(min)電(dian)(dian)容(rong)值(zhi)(zhi)合達(da)到專業的要求(qiu)規(gui)定(ding)規(gui)定(ding)精(jing)度等(deng)級(ji)號的Cu50銅(tong)熱(re)熱(re)敏(min)電(dian)(dian)容(rong)值(zhi)(zhi)2類(lei)項零件(jian)式(shi)、實行構思型熱(re)敏(min)電(dian)(dian)容(rong)值(zhi)(zhi),應達(da)到JB/T8622-1997及JB/T8623-1997要求(qiu)規(gui)定(ding)規(gui)定(ding).

WZP-320裝配式熱電阻上海自動化儀表三廠具體方法的指標:

紅外測溫依據和精確性度

熱電阻器行業類型

衡量條件℃

度數號

能問題△t ℃

WZP型鉑熱敏電阻

-200~420

Pt100

B級 允差(cha)±(0.3或+0.005︱t︱)

A級 允差±(0.15或+0.002︱t︱)

WZC型銅內阻

-150~100

Cu50

-50~100℃ 允差±(0.30+6.0×10-3t)

注:式(shi)中“t"為(wei)體(ti)溫探(tan)頭元(yuan)器件封裝(zhuang)的試驗體(ti)溫值。

 

規格表明:

W

Z

的規格

游戲內容

  

P

 

鉑阻值

C

 

銅阻值

熱電阻器的材料

-

 

無放置提升裝置式

 

固定好英制螺紋式

 

主題活動式法蘭盤

 

放置蝶閥法蘭式

 

固定位置螺孔(kong)扇(shan)形保證管式

2

 

防濺式

3

 

防水材料式

  

非統(tong)設:電插(cha)座式,小(xiao)接線方法盒式等

接線兩端盒狀態

0

Φ16mm保護性管

1

Φ12mm保障(zhang)管

 

非統設:不同的金橋銅(tong)業跨(kua)接線的截(jie)面積大小(xiao)保護英文管

 
W

Z

-

 

熱熱敏電阻溫度傳感器器件100℃時的電阻值(R100)和它在0時的電阻值R0的比值:(R100/ R0

分度號Pt100: A 級 R0=100±0.06Ω

       B級 R0=100±0.12Ω

精度等級號Cu50: R0=50±0.05Ω

熱為了響應時候

在溫度出現階躍變化時,熱電阻的輸出變化至相當于該階躍變化的50%所需要的時間稱為熱響應時間用T0.5表示。

熱內阻公稱有壓力

應該(gai)指(zhi)在該(gai)做工作高溫下愛(ai)護(hu)管(guan)所應承(cheng)受氣壓的外壓(動(dong)壓)耐不龜裂。可以(yi)公稱氣壓一方(fang)面與(yu)愛(ai)護(hu)波紋管(guan)料(liao)、內直徑、焊接鋼(gang)管(guan)壁(bi)厚相關(guan)的系,還與(yu)他設計形勢、裝置(zhi)措施、閑置(zhi)縱深或被測媒介的流體(ti)密度(du)和貨品相關(guan)的系。

熱熱敏電阻zui小(xiao)放入淬硬層

︱min=︱+15D

︱min-zui小快速可用放(fang)入程(cheng)度

-感溫元件長度

D-確保管外徑

自然而然干擾

采用熱內阻中檢(jian)測電壓5mA時,測量的(de)內阻增(zeng)長率換算成室(shi)內溫度值應不多(duo)于0.30℃。

隔絕熱敏電阻

常(chang)溫(wen)狀態下隔絕熱敏電阻(zu)功率(lv)的現場實驗端電壓可以采(cai)取直流(liu)電壓10~100V同時值,周圍環境(jing)熱度在15~35℃范圍圖內(nei),相對而言(yan)絕對濕度應面積不超過80%。常(chang)溫(wen)狀態下隔絕熱敏電阻(zu)功率(lv)值應不需小于100MΩ

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