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WZP-221裝配式熱電阻上海自動化儀表三廠
結合(he)(he)國(guo)(guo)家(jia)(jia)(jia)(jia)的約定,我(wo)廠從(cong)19810年起逐漸開(kai)始制(zhi)作合(he)(he)適(shi)(shi)國(guo)(guo)家(jia)(jia)(jia)(jia)國(guo)(guo)家(jia)(jia)(jia)(jia)IEC準(zhun)(zhun)則(ze)度(du)數號的Pt100鉑熱電阻功(gong)率(lv)(lv)值(zhi)功(gong)率(lv)(lv)合(he)(he)合(he)(he)適(shi)(shi)國(guo)(guo)家(jia)(jia)(jia)(jia)國(guo)(guo)家(jia)(jia)(jia)(jia)專(zhuan)業性(xing)準(zhun)(zhun)則(ze)度(du)數號的Cu50銅熱電阻功(gong)率(lv)(lv)值(zhi)功(gong)率(lv)(lv)兩種(zhong)類裝配工(gong)藝式(shi)、保持(chi)一致結構設計型(xing)電阻功(gong)率(lv)(lv)值(zhi)功(gong)率(lv)(lv),應(ying)合(he)(he)適(shi)(shi)國(guo)(guo)家(jia)(jia)(jia)(jia)國(guo)(guo)家(jia)(jia)(jia)(jia)JB/T8622-1997及JB/T8623-1997準(zhun)(zhun)則(ze).
WZP-221裝配式熱電阻上海自動化儀表三廠具體能力招生指(zhi)標:
溫度(du)檢(jian)測(ce)面(mian)積和確切度(du)
熱電容行業類別 | 測量方法區間℃ | 精度等級號 | 允許的差別△t ℃ |
WZP型鉑電容 | -200~420 | Pt100 | B級(ji) 允(yun)差(cha)±(0.3或+0.005︱t︱) |
A級 允差±(0.15或+0.002︱t︱) | |||
WZC型銅電阻值 | -150~100 | Cu50 | -50~100℃ 允差±(0.30+6.0×10-3t) |
注(zhu):式中“t"為室內(nei)溫度(du)探頭電(dian)子器件的監(jian)測室內(nei)溫度(du)值(zhi)。
應用表達:
W | Z | 規格 | 內部 | ||||
P | 鉑電阻器 | ||||||
C | 銅電阻器 | ||||||
熱電阻值建材 | - | 1 | 無一定系統式 | ||||
2 | 規定螺距式 | ||||||
3 | 活動內容式卡箍 | ||||||
4 | 比較固定卡箍式 | ||||||
6 | 放(fang)置(zhi)螺紋標準椎型保(bao)護區管式 | ||||||
安 裝 固 定 形 式 | 2 | 防濺式 | |||||
3 | 防潮式 | ||||||
非統設:插板(ban)式,小接(jie)線柱(zhu)盒式等 | |||||||
接線圖盒狀態 | 0 | Φ16mm維護管 | |||||
1 | Φ12mm保護性管(guan) | ||||||
非統設(she):各式要求防(fang)護管 | |||||||
設 計 序 號 | |||||||
W | Z | □ | - | □ | □ | □ |
熱熱敏電阻溫度探頭元器件封裝100℃時的電阻值(R100)和它在0℃時的電阻值R0的比值:(R100/ R0)
分度號Pt100: A 級 R0=100±0.06Ω
B級 R0=100±0.12Ω
量程(cheng)號Cu50: R0=50±0.05Ω
熱異常精力
在溫度出現階躍變化時,熱電阻的輸出變化至相當于該階躍變化的50%所需要的時間稱為熱響應時間用T0.5表示。
熱電容公稱經濟壓力
尋(xun)常(chang)指在該任務室溫下保養管能夠抗住的外壓(風(feng)壓)耐不碎裂。不能公(gong)稱經濟壓力實際上與保養PE管料(liao)、孔徑(jing)、焊(han)接鋼管壁厚相關(guan)聯(lian)(lian),還兩者之間結構(gou)類(lei)型(xing)結構(gou)類(lei)型(xing)、布置方式(shi)、安放深入(ru)包括被測媒(mei)介的氣速和品種相關(guan)聯(lian)(lian)。
熱(re)熱(re)敏電阻zui小放入(ru)深淺(qian)
︱min=︱元+15D
︱min-zui小(xiao)能用放(fang)入的深(shen)度
︱元-感溫元件長度
D-保護的管外徑
物種多樣性決定
依據熱電(dian)容中衡量(liang)瞬(shun)時(shi)電(dian)流5mA時(shi),得出的電(dian)容增(zeng)長(chang)率換算成室內溫度值(zhi)應不多(duo)于0.30℃。
絕緣層內阻
超低溫狀態(tai)接地阻值的實驗(yan)設計的電壓能取直流(liu)電源10~100V多個(ge)值,氛圍濕(shi)球溫度(du)在15~35℃條件內,相較濕(shi)球溫度(du)應不是很多于80%。超低溫狀態(tai)接地阻值值應不乘以100MΩ
點
擊
隱
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